2000 ㎡+
заводское здание
15 +
Оборудование
20 +
Команда разработчиков
Демонстрация продукции
——
Демонстрация продукции
——
Оборудование комплектуется отработанными технологическими решениями
——
1. Высокоподвижные полные технологические решения для IGZO-TFT
2. Технологические решения для высококачественных высоко-K материалов
3. Полные технологические решения для сегнетоэлектрических материалов на основе ZrO₂-HfO₂
4. Полный технологический процесс для низкоомного нитрида титана (TiN)
5. Решения по настройке технологического процесса для глубочайших сквозных отверстий
6. Решения для технологической камеры с нестандартной геометрией для обработки деталей сложной формы
7. Антикоррозионное покрытие на основе оксида этилена
8. Молекулярные органические слои
9. Технологические процессы для металлов Pt, Ru, Cu, W, Ir
10. Технологические решения для вторичной электронной эмиссии
11. Неразрушающие низкотемпературные технологические процессы
12. Микро/нано-дифракционные решётки
13. Герметизирующее пассивирование для тонких корпусов
Оборудование комплектуется отработанными технологическими решениями
——
1. Высокоподвижные полные технологические решения для IGZO-TFT
2. Технологические решения для высококачественных высоко-K материалов
3. Полные технологические решения для сегнетоэлектрических материалов на основе ZrO₂-HfO₂
4. Полный технологический процесс для низкоомного нитрида титана (TiN)
5. Решения по настройке технологического процесса для глубочайших сквозных отверстий
6. Решения для технологической камеры с нестандартной геометрией для обработки деталей сложной формы
7. Антикоррозионное покрытие на основе оксида этилена
8. Молекулярные органические слои
9. Технологические процессы для металлов Pt, Ru, Cu, W, Ir
10. Технологические решения для вторичной электронной эмиссии
11. Неразрушающие низкотемпературные технологические процессы
12. Микро/нано-дифракционные решётки
13. Герметизирующее пассивирование для тонких корпусов
ПРЕСС-ЦЕНТР
——
ПРЕСС-ЦЕНТР
——
Команда профессора Дин Синвэй из Шанхайского университета: исследование инверторов ZTO - TFT и CNTSZTO CMOS на основе ALD High - k ZrAlOₓ
Материалы с сеткой с высокой диэлектрической постоянной (high - k) играют ключевую роль в повышении производительности тонкопленочных транзисторов (TFT) и комплементарных МОП - полупроводников (CMOS).
Единая технологическая платформа ALD меняет отраслевой ландшафт, а импортозамещение ускоряет преодоление критических технологических ограничений.
Отечественные предприятия первыми продвигают все цепные решения ALD, интегрируют оборудование, процессы и суррогатные услуги, помогают полупроводникам, фотовольтаике и другим областям снизить эффективность и продвигать процесс автономности отечественных технологий.
Единовременная модернизация технологии ALD, решения всей цепочки, ведущие к инновациям в отрасли
Ведущие предприятия отрасли интегрируют оборудование ALD и суррогатные услуги, преодолевая производственные узкие места с технологическими возможностями всей цепочки, помогая клиентам в полупроводниковых и новых энергетических областях снизить свою эффективность, доля рынка неуклонно растет.